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产品简介
- 在所有金属中钨的熔点最高,而蒸汽压最低,在超高温、高真空技术及其相关行业,钨是理想的材料。

- 热膨胀系数小,与 Si, GaN, GaAs, Al2O3, 玻璃等匹配良好,熔点高以及高温下稳定,钨是半导体封装密封最适合的材料。

- 钨的比电阻比其他发热体材料低,但会随着温度的升高而增加。该电阻特性对于其在高温炉结构件中的应用特别重要。

- 由于其所具有的高密度,钨及钨合金对于射线具有较高的吸收能力。用于x射线和γ射线的吸收材料是以镍-铁或镍铜作为粘接相
  的高钨含量的钨合金,且该合金易于加工。

产品特性:
密度:19.3g/cm3
熔点:3410℃
线膨胀系数:4.67*10-6/K
导热率:167 W/(M.K)
产品用途:
半导体基板,电子管栅极、阳极,无源冷却装置散热器,电容器烧结舟和杯,x-射线靶及其紧固件、固定式阳极、探测器部件、
  准直仪、屏蔽罩、容器及配件。
 
 


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